Параметры и предельные режимы работы транзисторов И. Ф. Николаевский, Д. В. Игумнов

    Николаевский Иосиф Федорович - Публичная Библиотека Название: Параметры и предельные режимы работы транзисторов И. Ф. Николаевский, Д. В. Игумнов
    Формат книги: fb2, txt, epub, pdf
    Размер: 5.1 mb
    Скачано: 1743 раз





    Николаевский Иосиф Федорович - Публичная Библиотека
    Параметры и предельные режимы работы ...

    Параметры и предельные режимы работы транзисторов И. Ф. Николаевский, Д. В. Игумнов

    В справочном листке приведены сведения о новых биполярных и полевых транзисторах, диодах, светоизлучающих приборах, индикаторах и измерителях мощности и энергии лазерного излучения. Эксплуатационные параметры оптронных интегральных микросхем информационное сообщение о серийно выпускаемом микропроцессорном комплекте серии к589 рассматриваются различные аспекты проектирования и исследования кв и укв передатчиков, генераторов, усилителей, импульсных устройств, регулируемых аттенюаторов, источников электропитания и др. Сборник посвящен схемному использованию биполярных и униполярных транзисторов и варикапов и содержит материалы по стабилизированным источникам питания, умножителям и преобразователям частоты, генераторам гармонических и релаксационных колебаний и усилителям, по физическим свойствам и особенностям транзисторов.

    Цифро-буквенные индикаторы на основе светодиодов приводятся результаты исследований, технические и конструктивные характеристики новых полупроводниковых элементов, схемные решения устройств для передачи информации, устройств связи, усиления и преобразования аналоговых сигналов, аппаратуры цифровой и вычислительной техники, источников электропитания и измерительных устройств. Предназначен для разработчиков различных устройств и систем связи и может быть полезен широкому кругу специалистов различных областей радиоэлектроники. Другая часть сборника содержит материалы по высокочастотным устройствам на варикапах и лпд, усилителям, генераторам и стабилизаторам на полупроводниковых приборах.

    Кроме того, часть статей сборника посвящена транзисторным усилителям с глубокой оос, практическим схемам широкополосных усилителей и микромощным усилителям с использованием составных транзисторов. Улучшение временных характеристик светодиодов для систем связи с икм в сборник включены материалы по схемному применению полупроводниковых приборов - стабилизированных источников питания, усилителей различных частот и мощностей, умножителей и делителей, частоты, генераторов колебаний различной формы, переключателей, блоков телевизионных устройств. Во вторую часть вошли статьи по усилителям на полупроводниковых приборах упт, усилителям видеочастот, ограничителям, мощным усилителям вч и свч.

    Транзисторный стабилизатор напряжения с повышенным коэффициентом стабилизации настоящий, третий, выпуск сборника содержит материалы по применению и анализу работы полупроводниковых приборов в оптических квантовых генераторах и усилителях, статьи, посвященные расчету модуляторов, автогенераторов, мультивибраторов и стабилизаторов на полупроводниковых приборах, а также статьи, посвященные конструкциям полупроводниковых приборов. Сборники будут полезны также для преподавателей и студентов вузов и техникумов связи, электротехнических и радиотехнических факультетов втузов. Сборник предназначен для инженерно-технических и научных работников, специализирующихся в области радиотехники, электроники и электросвязи, а также будет полезен преподавателям и студентам соответствующих вузов.

    Рассматриваются электрические и тепловые параметры транзистора, его характеристики и эквивалентные схемы, максимально допустимые постоянные и импульсные токи, напряжения и мощности. Методика расчета нелинейных эффектов в широкополосных усилительных каскадах с использованием модели гамильтона биполярного транзистора миропольский ю. Современные транзисторы, выпускаемые промышленностью ссср большая часть сборника посвящена избирательным системам (активные транзисторные фильтры, избирательные rc-цепи, перестраиваемые избирательные усилители и т.

    Заочные курсы усовершенствования итр по применению полупроводников в приборах) элементарное понятие о принципах полупроводниковой электроники было дано в лекции полупроводники и их применение в современной технике. Сборник рассчитан на научных и инженерно-технических работников, занимающихся расчетом, конструированием схем на полупроводниковых приборах и ис, применяемых в электросвязи. Метод расчета корректирующих двухполюсников в цепи местной оос, обеспечивающих устойчивость транзисторных усилителей с глубокой общей оос в. Книга предназначена для инженеров-разработчиков аппаратуры на транзисторах, а также может быть рекомендована в качестве учебного пособия для студентов соответствующих факультетов вузов. Жидкокристаллические цифрознаковые индикаторы содержит материалы по проектированию и исследованию узлов и блоков приемопередающей аппаратуры, генераторов и усилителей, информационно-измерительных систем, измерительных приборов, источников питания, различных полупроводниковых устройств.


    «Полупроводниковая электроника в технике связи»


    Серия сборников статей под редакцией И.Ф. Николаевского. Основана в 1967 г. ... Д.В. Игумнов. Эксплуатационные параметры транзистора в микрорежиме (69). ... Я.С. Ицхоки. Оптимальный режим работы входной цепи транзисторного .... В.А. Корзинкин, Н.И. Пышкина. Предельные характеристики ...

    Параметры и предельные режимы работы транзисторов И. Ф. Николаевский, Д. В. Игумнов

    Учреждение образования - Белорусский государственный ...
    16 мар 2015 ... Режимы работы транзисторов. Схемы включения: ..... Николаевский И. Ф., Игумнов Д. В. Параметры и предельные режимы работы ...
    Параметры и предельные режимы работы транзисторов И. Ф. Николаевский, Д. В. Игумнов Предельные характеристики . Параметры и предельные режимы работы . В седьмой выпуск сборника помещены материалы по проектированию и расчету генераторов различных типов, усилителей, стабилизаторов и модуляторов на полупроводниковых приборах. Николаевского. Издание предназначено для широкого круга специалистов, занимающихся проектированием, расчетами, конструированием электронной аппаратуры связи, радиовещания и телевидения, г также для инженеров и техников предприятий, эксплуатирующих эту аппаратуру. Примерный режим обработки фоторезиста: 10 – 15 минут при. Оптимальный режим работы входной цепи транзисторного. 18 июн 2013. Эксплуатационные параметры оптронных интегральных микросхем информационное сообщение о серийно выпускаемом микропроцессорном комплекте серии к589 рассматриваются различные аспекты проектирования и исследования кв и укв передатчиков, генераторов, усилителей, импульсных устройств, Транзисторный стабилизатор напряжения с повышенным коэффициентом стабилизации настоящий, третий, выпуск сборника содержит материалы по применению и анализу работы полупроводниковых приборов в оптических квантовых генераторах и усилителях, статьи, посвященные расчету модуляторов, автогенераторов, мультивибраторов и стабилизаторов на полупроводниковых приборах.
  • Учреждение образования - Белорусский государственный ...


    Методика расчета нелинейных эффектов в широкополосных усилительных каскадах с использованием модели гамильтона биполярного транзистора миропольский ю. Жидкокристаллические цифрознаковые индикаторы содержит материалы по проектированию и исследованию узлов и блоков приемопередающей аппаратуры, генераторов и усилителей, информационно-измерительных систем, измерительных приборов, источников питания, различных полупроводниковых устройств. Генератор пилообразного напряжения с ускоренным участком на полупроводниковых приборах настоящий девятый выпуск сборника содержит материалы по схемному использованию полупроводниковых приборов в устройствах оптической связи и электропитания, телевизионных и приемных устройствах, в генераторах, преобразователях и усилителях, а также ряд статей по общим вопросам теории и техники связи. Часть сборника посвящена по-прежнему актуальным вопросам конструирования и расчета устройств и источников питания электронной аппаратуры, преобразователей и стабилизаторов на транзисторах и тиристорах, телевизионным устройствам, импульсным и логическим схемам. Анализ электронных устройств при помощи аналоговых моделей их эквивалентных схем материал сборника тематически разделен на две основные части.

    Схемотехнические способы защиты затвора мдп транзисторов от кратковременных перенапряжений в сборник включены статьи, посвященные практическому использованию транзисторов в широкополосных и дифференциальных линейных усилителях, эмиттерных повторителях, генераторах и усилителях радиопередатчиков и в стабилизированных источниках питания. Сборник будет также полезен преподавателям и студентам вузов и техникумов связи, электротехнических и радиотехнических факультетов вузов. Рассматриваются вопросы проектирования и исследования цифровых и оптоэлектронных линий связи и устройств, кб и укв передатчиков и генераторов, аттенюаторов, импульсных устройств, источников питания. Якушкин особенности расчета выпрямителей и фильтров сетевого напряжения в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом м. Маломощный стабилизированный преобразователь постоянного напряжения сборник посвящен вопросам проектирования и исследования аппаратуры радио- и электросвязи, усилителей, аттенюаторов, импульсных устройств, источников электропитания на современных полупроводниковых элементах.

    В седьмой выпуск сборника помещены материалы по проектированию и расчету генераторов различных типов, усилителей, стабилизаторов и модуляторов на полупроводниковых приборах. Ограничитель средней мощности на терморезисторе десятый выпуск сборника содержит в основном материалы по теории, расчету и конструированию схем релаксационных генераторов, генераторов гармонических колебаний и постоянного тока на транзисторах, диодах ганна, лавинно-пролетных, туннельных и p-i-n - диодах. Эксплуатационные свойства мощных генераторных транзисторов широкого применения укв и дцв диапазонов рассматривается измерение помех в трактах связи даны расчет и проектирование передатчиков высокочастотных генераторов, усилителей (в том числе малошумящих), дискретных устройств, источников электропитания анализ схем ару в усилителях и передатчиках результаты экспериментального исследования характеристик полевых и биполярных транзисторов в номинальном режиме и микрорежиме применение цвм для расчета источников питания и моделирования эквивалентных схем полупроводниковых приборов перспективы применения речевых микроинформаторов на бис, характеристики пьезоэлектрических трансформаторов напряжения. Входное сопротивление и коэффициент усиления по мощности однотактного транзисторного ключевого генератора с формирующим контуром корчагин ю. Сборник посвящен схемному использованию биполярных и униполярных транзисторов и варикапов и содержит материалы по стабилизированным источникам питания, умножителям и преобразователям частоты, генераторам гармонических и релаксационных колебаний и усилителям, по физическим свойствам и особенностям транзисторов. . Книга предназначена для инженеров-разработчиков аппаратуры на транзисторах, а также может быть рекомендована в качестве учебного пособия для студентов соответствующих факультетов вузов. Для инженерно-технических работников, занимающихся исследованием, расчетом и конструированием различных устройств и систем связи на полупроводниковых приборах. Сборник содержит статьи по мощным широкополосным и свч усилителям, схемам включения транзисторов, вопросам сложения мощностей по схемам кв, св и дв связанных передатчиков, по ару в однополосных передатчиках, по генераторам на лпд. Заочные курсы усовершенствования итр по применению полупроводников в приборах) элементарное понятие о принципах полупроводниковой электроники было дано в лекции полупроводники и их применение в современной технике.

    20 ноя 2015 ... Режимы работы транзисторов. Схемы включения: с ..... Николаевский И. Ф., Игумнов Д. В. Параметры и предельные режимы работы ...

    ионное легирование.

    18 июн 2013 ... В данной работе рассматривается исследование .... После их измерения, статические параметры pnp транзисторов ..... Примерный режим обработки фоторезиста: 10 – 15 минут при ...... 4Николаевский И.Ф., Игумнов Д.В. Параметры и предельные режимы работы транзисторов.
  • Я - конкистадор свободы Эрнесто Че Гевара
  • Мировая экономика Н. Ф. Чеботарев
  • Железный Гай Г. А. Айрапетян
  • Всемирная история в схемах терминах таблицах Губина
  • КНИГА УСТРОЙСТВО КАМАЗ 55111
  • Реабилитация после инсульта Белянская Елена Краснова Марина
  • Лучистое отопление и охлаждение Миссенар Ф.А.
  • Параметры и режимы работы твердотопливных котлов малой мощности Максим Казаков und Мирон Гринкруг
  • Параметры поиска Исаак Ландауэр
  • Парамон и Аполлинария Дина Калиновская
  • Парамонов покупает теплоход Станислав Токарев
  • Параноики вопля Мертвого моря Гилад Элбом
  • Паранойя Виктор Мартинович
  • Паранойя Владимир Константинов
  • Параметры и предельные режимы работы транзисторов И. Ф. Николаевский, Д. В. Игумнов

Литератор
[dcufut]